商品詳細介紹:
砷化鎵
化學(xué)式: GaAs。黑灰色固體,
熔點(diǎn):1238℃。它在600℃以下,能在空氣中穩定存在,并且不為非氧化性的酸侵蝕。
規 格:砷化鎵傳輸范圍 (微米) 1.0-22 折射指數@10微米 3.277 折射指數的溫度系數@10.6微米, 149 x 10/度體積吸收系數@10微米 / 厘米 <0.01 熔點(diǎn), 度 1600 硬度 (努普), 千克/平方毫米 750 密度, 克/立方厘米 5.37
主要用途:砷化鎵可作半導體材料,性能比硅更優(yōu)良。它的優(yōu)點(diǎn)是禁帶寬度大,電子遷移率高,介電常數小,能引入深能級雜質(zhì),電子有效質(zhì)量小,能帶結構特殊,具有雙能谷導帶,可以制備發(fā)光器件、半導體激光器、微波體效應器件、太陽(yáng)能電池和高速集成電路等,廣泛用于雷達、電子計算機、人造衛星、宇宙飛船等尖端技術(shù)中。